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  • 400-135-1288

LASER COMPONENTSAPD接收器H0

产品介绍

 H0 系列包括一个硅或铟镓砷雪崩光电二极管,带有优化的低噪声混合前置放大器,可用于激光测距、激光雷达、分析应用。这些器件中使用的 Si-APD 有 SAR500、SAR1500 和用于 YAG 增强应用的 SAT800,在 400 nm 到 1100 nm 波长范围内具有响应性,在所有波长上都具有极快的上升和下降时间。对于 900 nm 到 1700 nm 的波长范围,我们使用了InGaAs-APD IAG080 和 IAG200。

性能特点

  • 系统带宽 DC- 100 MHz
  • 高灵敏度
  • 超低噪音
  • 光谱响应范围
  • SiAPD:400 nm至 1100 nm
  • InGaAs-APD:900 nm至 1700 nm
  • 密封 TO-46 封装
  • +/- 5 伏放大器工作电压

产品结构与细节

所有接收器均可配备InGaAs-APD,因此可覆盖 400 - 1100 和 1000 - 1650 nm 的波长范围。

可选功能与配件

 InGaAs-APD 接收器(SAR500H0、SAR1500H0)

技术参数

产地:德国

存储温度:-55 ℃ 至 +100 ℃

工作温度:-40 ℃ 至 +85 ℃

TIA 电源电压(V):+/- 4(Min); +/- 5 ;+/- 6.5 (Max)

TIA 电源电流:30 mA

功率消耗:300 mW

焊接温度(15 秒):260 °C

噪声测量频率:100 kHz

操作方式:脉冲操作

有效区域直径:0.5 mm

波长范围:400-1000 nm

峰值灵敏度:905 nm

带宽:DC-20 MHz

响应度:

540 纳米 1.35 MV/W

650 纳米 2.00MV/W

905 纳米 2.50MV/W

NEP:

540 纳米 0.10  pW/rtHz

650 纳米 0.06 pW/rtHz

905 纳米 0.05 pW/rtHz

输出噪声密度:100 nV/rtHz

输入参考噪声密度:2 pA/rtHz

输出电压摆幅(1 MΩ):3 V

输出电压摆幅 (50 o):1.5 V

输出偏移电压:25 mV

产品应用

光电测量、军事、汽车领域、激光测距、激光雷达、分析应用

规格参数

产品应用


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